Arcangel

UNIVERSIDAD VALLE DEL GRIJALVA

JORGE ANTONIO LÓPEZ TOVILLA                I.S.C.           5o. "U"

 

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Transistores de potencia


El transistor de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

Parámetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturación)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Máxima temperatura de operación

Alta (200ºC)

Media (150ºC)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores. 

 

 

Transistores de potencia


El transistor de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

Parámetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturación)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Máxima temperatura de operación

Alta (200ºC)

Media (150ºC)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores. 

 

 

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